输入输出的逻辑关係为

由输入电晶体T1、T2、T3、T4和定偏电晶体Tb构成差动式结构的电流开关，其间的耦合是通过发射极电阻Re实现，因名发射极耦合逻辑电路。Tb的基极接有固定偏压Ub，当有m 发射极耦合逻辑电路

个输入管的基极加入信号Ui时，流过C1、C2两点的电流满足下式

式中αO为输入和定偏管共基直流放大係数。 发射极耦合逻辑电路

发射极耦合逻辑电路

随着Ui的变化，IO在差分对中切变。当输入信号满

时,电路具有整形性质，C1、C2两点出现用电流电平或电压电平辨别的四个状 发射极耦合逻辑电路

发射极耦合逻辑电路

态，因而又称电流开关。它靠Ui对电流的引导完成电流开关作用。

1958年，制出第一块电流开关，并成功地使用了射极跟随器作电平移动，解决了信号电平的级联问题，改善了ECL电路的基本单元电路。 发射极耦合逻辑电路

发射极耦合逻辑电路

为了保持电路的非饱和性质,ECL电路的逻辑幅度的典型值为0.8伏,高电平的典型值为-0.8伏。低电平的典型值为-1.6伏，定偏电晶体基极参考电平为-1.2伏。由于发射极耦合电阻Re的负反馈作用，电路工作时电流是在差分对中切变，不产生大的扰动。同时，由于射极跟随器的隔离作用而能保证电路在较小的逻辑幅度下也能稳定可靠地工作。

①开关速度快（1纳秒左右）。比通常的电晶体-电晶体逻辑电路开关速度快几倍。

②可以很方便地组成、扩充电路的逻辑功能，节省元件数。缺点是电路功耗大、电平阈值电压随温度而漂移等 。

ECL电路主要用于构成超高速积体电路，如高速、大型、巨型计算机等。

电路中,电晶体工作于非饱和区，Tb在共基极组态下工作。电路差动式结构的加速作用，使共发射极的输入管实际工作在準共基极状态下。小的逻辑幅度等条件保证了电路的高速度。电流开关在60年代即已用于计算机，使计算机的性能大大提高。

ECL电路主要用于构成超高速积体电路，如高速、大型、巨型计算机等。电路中,电晶体工作于非饱和区，Tb在共基极组态下工作。电路差动式结构的加速作用，使共发射极的输入管实际工作在準共基极状态下。小的逻辑幅度等条件保证了电路的高速度。电流开关在60年代即已用于计算机，使计算机的性能大大提高。

发射极耦合逻辑是建立在一个多输入差分放大器来放大并结合数位讯号，并发射追随者调节直流电压等级为基础。因此，电晶体的栅极在没有进入过饱和度，也没有得到过完全关闭。电晶体留在他们的积极经营区域完全在任何时候。作为一个结果，没有一个电晶体的电荷存储时间抗衡，并能更迅速地改变状态。因此，这种逻辑门的主要优点是非常高的速度。

上图中所示是来自摩托罗拉的1000/10 MECL装置系列，这种特殊的电路是一个4输入或/或非门。该电路标準电压为是-5.2伏（VEE）和地（VCC的）。未使用的输入连线至V EE。在右侧偏置电路，由一个电晶体和二极体和电阻器及其相关的组成，可以处理任何一个单一的IC封装的门数。典型IC包括双4输入，三路3输入，四路2输入门。在每一种情况下，盖茨自己有多少差别只在他们输入电晶体。一个单一的偏置电路为所有大门。在操作中，一个逻辑ouput改变状态仅0.85伏特从-1.60伏特低，电压高的-0.75。内部偏置电路提供固定的-1.175伏电压的差分放大器的偏置在电晶体。如果所有的输入电压是在-1.6（或绑至V EE），输入电晶体将全部关闭，只有内部差分电晶体将传导电流。这降低了电晶体的基极电压或输出，其输出电压降低到-1.60伏特。与此同时，没有输入电晶体输出电晶体的NOR影响的基础，所以它的输出电压上升到-0.75。这简直是发射极基电压V是本身的电晶体。（所有电晶体都在积体电路，并设计有一个V是0.75伏特。）当任何输入电压上升到-0.75，即电晶体的发射极电流虹吸管远离内部差分电晶体，导致输出开关状态。

在此类型的电路中，电压这一变化很小，并且为V取决于上的BE时，涉及他们的电晶体。更重要的电路的工作是通过各种电晶体的电流流动量的，而不是涉及的精确电压。因此，发射极耦合逻辑也被称为电流模式逻辑（CML）。这是不是唯一的技术，实现以任何方式慢性粒细胞白血病，但它确实说明，一般到秋天。在任何情况下，这导致我们对这一门式的主要缺点：它描绘了一个从电源电流很大，因此往往浪费了大量的热量。为了减少这种问题，例如频率计数器使用某些设备在十年的ECL电路输入端的柜檯，由TTL或高速CMOS计数器其次为后来的数字位置。这使得快速，昂贵的IC在那里是绝对必要的，并允许我们使用更便宜的地点积体电路其中信号不会在那幺高的频率。