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场效应电晶体放大电路
利用场效应电晶体作有源器件的放大电路。场效应电晶体是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般电晶体体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点，又有远比一般电晶体高的输入阻抗。此外，由于MOS场效应电晶体组成的积体电路製造工艺简单、集成度高，因此发展迅速，套用日益广泛。
基本介绍
- 中文名：场效应电晶体放大电路
- 外文名：field-effect tran-sistor amplifier
- 学科：电力科学
- 拼音：changxiaoying...
释义
利用场效应电晶体作有源器件的放大电路。场效应电晶体是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般电晶体体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点，又有远比一般电晶体高的输入阻抗。此外，由于MOS场效应电晶体组成的积体电路製造工艺简单、集成度高，因此发展迅速，套用日益广泛。
优缺点
由于场效应电晶体具有输入阻抗高、噪声低的优点，在多级放大电路中，经常用作前置放大级。利用场效应电晶体的恆流特性，在放大电路中也常作恆流源用。
基本放大电路
利用场效应电晶体的基本放大电路有三种，分别是共源、共漏、共栅放大电路。
(1)共源放大电路：是用得最广泛的一种电路，其中场效应电晶体是N沟道增强型MOS管。该电路有较大的电压增益、较大的输入电阻，但由密勒效应引起的输入电容太大，影响高频回响，常用作电压放大。
(2)共漏放大电路：又名源极跟随器，也是用得比较广泛的一种电路，其中场效应电晶体是N沟道耗尽型MOS管。该电路的输入电阻大，输入电容小，电压放大倍数小于1，常用作输入级以提高输入阻抗，或用作阻抗变换、缓冲电路。