读书笔记摘抄新闻资讯电晶体放大方法
电晶体放大方法是使用电晶体来实现信号电平放大的方法。电晶体是一种三层结构的半导体器件，中间薄层称为基区，它与其他两层的半导体导电类型不同，若基区为N型(电子导电型)，则其他两层为P型(空穴导电型)，该类电晶体称为PNP型电晶体。若基区为P型，则为NPN型电晶体。在适当的直流偏置电平下，流入基区的微量电流变化可引导出集电区中电流甚大的变化。因而，在一定直流偏压下，给予基区一信号电平，在集电极(集电区引出端子)上可形成与输入信号相似但得到幅度成倍增长的电平，从而实现信号放大。
电晶体的另一区域称为发射区(导电类型与集电区相同)，其对应的引出端子称为发射极。按输入、输出端连线方式的不同，电晶体放大电路可分三种：①共发射极放大电路，其特点是输入、输出阻抗适中，一般情况下，电流、电压均有增益;②集电极电路，集电极为输入、输出公用端，基极输入、发射极输出，其特点是有电流增益，但电压传输係数小于1;③共基极电路，发射极输入、集电极输出，其特点是电流传输係数小于1，有电压增益，频率回响好。可按不同的需要採用不同的电晶体放大方法。