晶体三极体输出特性曲线（共发射极）

晶体三极体是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极体多为PNP型，硅三极体多为NPN型，它们的结构原理是相同的。

三极体有三个区、三个电极。其中基区（三极体中间的一层薄半导体）引出基极b；两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里，NPN型管发射极箭头向外，表示电流方向。

基极电流Ib一定时，晶体三极体的Ic和Uce之间的关係曲线叫做输出特性曲线。曲线以Ic（mA）为纵坐标，以Uce（V）为横坐标给出，图上的点表示了电晶体工作时Ib、Uce、Ic三者的关係，即决定了晶体三极体的工作状态。从曲线上可以看出，电晶体的工作状态可分成三个区域。饱和区：Uce很小，Ic很大。集电极和发射极饱和导通，好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时电晶体的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区：在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化，电晶体工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制，曲线也较为平直，此时管子的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。截止区：Ib=0，Ic极小，集电极和发射极好像断路（称截止），管子的发射结、集电结都处于反向偏置。