先解释一下三极体的饱和区：

当Uce较小时，Ic变化较小，即Ib失去了对Ic的控制能力，三极体处于饱和状态。此时，三极体的发射结和集电结都处于正向偏置状态，即：Ube>Uon且Uce < Ube ，βIb > Ic，Uce ≈0.3V。深度饱和时的Uce用Uces表示，三极体深度饱和时Uces很小，一般小功率管的Uces< 0.3V，锗管的Uces< 0.1V，比硅管还要小。

什幺意思呢？可以理解为快要到达放大区了，但是还没有，是一个临界状态，从“放大状态的条件是Ube>Uon且Uce>Ube或Uce=Ube”这里也可以看出来。

总的来讲，是指三极体工作在饱和区时，且集电极和基极之间电压为零（Ube=Uce）时的状态。这个是电路工作的一个特殊状态（方式）。但要记住的是这时的Ic依然是随着Uce的增大而增大的，这个可以从三极体输出特性曲线上可以看到的，放大区的Ic则与Uce几乎没有什幺关係，只决定于基极电流Ib。

上述分析从基本共射电路出发，欢迎补充这个定义在实际套用中的举例等。