学 历: 博士

所属部门：

科技处

简历：

2006－2008年：日本半导体MIRAI项目；

2003－2006年：日本东京大学，获得工学博士学位；

1998－2003年：兰州大学，获得理学博士学位；

1997－1998年：中国空间技术研究院第510研究所；

1992－1997年：兰州大学，本科学习。

纳米尺度CMOS器件与工艺技术

1．2007年获得日本半导体MIRAI项目优秀奖，获奖项目：“Mechanism and control for the anomalous threshold voltage variation in metal/high-k gate stack”，本人排序：2；

2．2008年获得日本半导体MIRAI项目最优秀奖，获奖项目：“Clarification and quantification of interfacial dipole effect in high-k gate stack”，本人排序：9。

申请发明专利30余项，其中美国专利2项，日本专利2项，国内专利30余项。

承担科研项目情况：

1．国家02科技重大专项项目：“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”（批准号：2009ZX02035），子课题负责人，在研；

2．国家自然科学基金重点项目：“铪基金属氧化物高k栅介质的基础研究” （批准号：50932001），子课题负责人， 在研；

3．教育部留学人员回国启动基金：“纳米尺度CMOS器件金属栅极的製备和高k/金属栅集成与阈值电压控制技术”，课题负责人，在研；

4．中科院微电子研究所所长基金：“高k/金属栅集成与阈值电压控制技术” （批准号：08SF041001），课题负责人，在研。