1981.09-1985.07 重庆大学冶金及材料工程系 ，工学学士。1985.09-1988.07 哈尔滨工业大学材料系 ， 工学硕士。1999.09-2002.06 四川大学材料科学与工程学院 ，工学博士。

1988.07-1999.08 四川航天公司 ， 先后担任助理工程师，工程师和高级工程师2002.06-今 西华大学 ，先后担任研究生部副部长，材料科学与工程学院副院长

光电子材料与器件，半导体材料与器件。

1) 铝酸盐长余辉发光材料，西华大学人才基金，2002.07－2007.05，负责；2) 优质碘化铅单晶体生长及碘化铅探测器研製，四川省教育厅重点项目，2007.01-2008.12，负责；3) CoO2/Ca2CoO3超晶格热电材料的界面稳定性研究，教育部春晖计画项目，2006.12-2009.12，负责；4) 具有大面积pn结的U型热电发电器研究，教育部春晖计画项目，2010.12-2012.12，。

主要从事光电子材料与器件和半导体材料与器件方面的研究工作，在光电子材料的製备方面取得一定进展。发表文章30多篇。

学术创新点如下：1〕观察到了碘化铅熔体与液态铅分层的现象，修订了Pb-I相图，提出了生长碘化铅单晶体的新方法；2）在Ca3Co4O9热电材料的常温常压緻密化烧结方面取得了一定进展。

主讲《材料製备技术》、《功能材料与智慧型材料》等。

1 Yi He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yingrong Jin, Zhiyu He, Baojun Chen, Improved growth of PbI2 single crystals, Journal of Crystal Growth, Volume 300, Issue 2, March 2007, Pages 448-4512 Zhu, X. H., Wei, Z. R, Jin, Y. R.; Xiang A. P., Growth and characterization of a PbI2 single crystal used for gamma ray detectors, Crystal Research and Technology, Volume 42, Issue 5, March 2007, Pages 456-4593 金应荣，朱世富，赵北君，陈松林，何福庆，CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极，半导体学报，25卷，2004年，1301-13054 李丽霞，金应荣，贺毅，赵欣，U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析，西华大学学报(自然科学版)，27卷，2008年5月，56-57,685 金应荣，李丽霞，贺毅，朱兴华，U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体，西华大学学报(自然科学版)，26卷，2007年1月，31-326 王鹏飞，金应荣，鲁云，刘磊，陈建文，王琴，温差对CaMnO3和Ca3Co4O9热电器件输出功率的影响，西华大学学报(自然科学版)，30卷，2011年3月，78-817 赵欣，金应荣，朱兴华，垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体，材料科学与工艺，14卷，2006年8月，428-4318 金应荣，朱兴华，贺毅，朱世富，赵北君，栾道成，用碘化铅熔体生长单晶体的方法，发明专利，金应荣，周华，栾道成，刘锦云，贺毅，牛天梅，曾启，赵远东，旋转式高精度气密性检测装置，发明专利，