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郭方準

郭方準

郭方準

郭方準,男,1970年生,汉族,无党派人士,教授,博士生导师,现就职于大连交通大学,任先端装备技术研究所所长,大连齐维科技发展有限公司董事长。

1993年自费留学日本,1996-2000年连续四年获得日本政府最高奖学金;2000年获得日本大阪市立大学理学博士学位,曾参与并成功研製世界上第一台立体原子显微镜;2008年成为日本同步辐射光科学研究中心SPring-8首位中国籍终身研究员;同年放弃国外的优厚待遇回国创业;2010年获得国家特聘专家荣誉,被聘为中国科学院大连化物所知识创新课题组组长,主要承担超高分辨宽能段光电子分析实验系统的研发,该项目已填补国内空白,并达到国际领先水平。

基本介绍

  • 中文名:郭方準
  • 国籍:中国
  • 民族:汉族
  • 出生日期:1970
  • 职业:先端装备技术研究所所长
  • 毕业院校:日本大阪市立大学
  • 主要成就:辽宁省“优秀专家”荣誉等

个人简介

1993年自费到日本留学,1996-2000年连续四年获得日本政府最高奖学金,2000年获得日本大阪市立大学理学博士学位。郭方準在超低温、超高压及强磁场下的超导研究领域,具有深厚的理论基础和实验技能。博士毕业后,郭方準和日本奈良先端科技大学一起,利用二维球形电子能量分析器和同步辐射的圆偏光,研发成功世界上第一台立体原子显微镜,其原创性科研成果已经被载入教科书中。至2008年5月日本同步辐射光科学研究中心SPring-8研究员,郭方準以其踏实的科研功底成为该研究所成立以来的首位中国籍永久职位研究员,全面引领光电子显微镜的科研和套用。2008年6月起到大连化物所工作,担任“表面量子构造动力学和同步辐射套用”知识创新课题组组长,获得国家科研资金8100万。该项目填补国内空白,达到国际领先水平,获得一系列原创性科研成果,解决一系列科学难题。2012年11月起,郭方準工作调动到大连交通大学,目前是先端装备技术研究所所长,教授博导。
《国家中长期科学与技术发展规划纲要(2006-2020年》中,明确要求提高科研装备的自主创新能力,将高端技术装备研发列为五项战略性新兴产业之一。郭方準创立的大连齐维科技发展有限公司以科研装备研发生产为核心业务,正是国家急需的高端装备製造产业。公司产品已经大量供应中科院、中国工程物理研究院、兰州重粒子加速器、上海同步辐射、北京高能物理研究所和国家授时中心等国家重点科研院所,广泛套用于基础科研、国防和航天航空等尖端科技领域。公司拥有二十余项国家专利,高端装备不仅填补了国内空白,也实现了对十余个国家的出口。
郭方準发表国际论文百余篇,出版科学着作2本。2003年获得第七届国际纳米科技大会青年科学家奖,2008年获得日本国家科技领域最高奖-文部科学大臣奖,2009年获得日本金属学会优秀论文奖。郭方準回国后于2009年以工程技术组第一名的成绩入选中国科学院“百人计画”;2010年入选中组部第三批“千人计画”,获得国家特聘专家荣誉,同年也获得中国侨联特聘专家荣誉;2011年获得国务院侨办重点支持的海外高端人才荣誉,担任大连市专家谘询委员会委员,担任辽宁省党外知识分子联谊会常务理事;2012年获得辽宁省“攀登学者”荣誉,当选大连市归国教授联谊会副会长;2013年当选大连市政协常委,当选第八届大连市侨联副主席,获得辽宁省“优秀专家”荣誉。
主要研究介绍:
"表面量子构造的动力学和同步辐射套用"研究组主要从事的科研工作有两项,一是利用低能量/光电子显微镜(LEEM/PEEM)进行表面科学的研究,二是套用同步辐射的X线进行物质电子状态和构造分析的研究。
在利用LEEM/PEEM做表面科学方面,活用LEEM/PEEM的高空间解析度和多功能特性,可以进行局部领域的显微成像,衍射和光电子能谱研究,获得的信息量远远超过其它实验手段。当使用同步辐射的X线作为PEEM的光电子激发光源时,结契约步辐射X线的高强度,能量可变性和偏光特性,可进行元素选择成像和磁性体的磁畴观察。由于LEEM/PEEM的空间解析度可达几个纳米,所以成为对纳米数量级构造体进行综合研究的强有力手段,在基础和套用研究两方面发挥威力。

学习工作经历

1997.4-2000.3 日本大阪市立大学理学研究科 获得理学博士学位
2000.4-2002.6 日本奈良先端科学技术大学院大学物质科学科 博士后
2002.7-2008.6 日本同步辐射光科学研究中心 研究员
2008.7-2012.10 中国科学院大连化学物理研究所 研究员
2012.11- 大连交通大学 教授

承担项目情况

1, 複杂体系结构与功能的同步辐射新理论、新方法和新技术研究,国家重大科研装备项目,100万,子课题负责人。
2, 超高分辨宽能段光电子分析系统 ,国家重大科研装备项目,8100万,子课题负责人。

着作论文

1.《Frontal Semiconductor Research》F.Z. Guo, et al.
Nova Science Publishers, Inc. ISBN 1-60021-210-7. (USA, 2006).
2.《实用真空技术》郭方準,大连理工大学出版社,ISBN 978-7-5611-7035-9 (2012).
国内解说文章
1.《解说低能量电子/光电子显微镜》 郭方準 《物理》 39卷 (2010年) 211-218.
2.《国产氩离子枪的研发》 臧侃,董华军,郭方準 《物理》 (2014年1月).
国际论文:
1.[Observation of Micro-Magnetic Structures by Synchrotron Radiation Photoelectron Emission Microscopy] Toyohiko KINOSHITA, Kuniaki ARAI, Keiki FUKUMOTO, Takuo OHKOCHI, Masato KOTSUGI, Fangzhun GUO, Takayuki MURO, Tetsuya NAKAMURA, Hitoshi OSAWA, Tomohiro MATSUSHITA, and Taichi OKUDA J. Phys. Soc. Jpn. 82 (2013) 021005.
2. [Direct observation of Twin-domains of NiO(100) by x-ray linear dichroism at O K edge using photoemission electron microscopy] Kuniaki Arai, Taichi Okuda, Arata Tanaka, Masato Kotsugi, Keiki Fukumoto, Takuo Ohkouchi, Fangzhun Guo, Tetsuya Nakamura, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Masaki Oura, Yasunori Senba, Haruhiko Ohashi, Akito Kakizaki and Toyohiko Kinoshita, PHYSICAL REVIEW B 85 (2012) 174401.
3. [Dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene on the number of layers investigated by photoelectron emission microscopy] H. Hibino, H. Kageshima, M. Kotsugi, F. Maeda, F.Z. Guo, and Y. Watanabe, PHYSICAL REVIEW B 79 (2009) 125437.
4. [Atomic-LayerResolvedMagneticandElectronicStructureAnalysisofNiThinFilm
onaCu(001)SurfacebyDiffractionSpectroscopy] F. Matsui, Y. Kato, M. Hashimoto, K. Inaji, T. Matsushita, F.Z. Guo and H. Daimon, Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 207201.
5. [ Energetics of endohedral atoms in type-I clathrates observed by soft x-ray spectroscopy] Jun Tang, Takeshi Rachi, and Ryotaro Kumashiro, Marcos A. Avila, Kouichirou Suekuni, and Toshiro Takabatake, FangZhun Guo and Keisuke Kobayashi, Koji Akai, Katsumi Tanigaki, PHYSICAL REVIEW B 78 (2008) 085203.
6. [Reconstruction algorithm for atomic-resolution holography using translational symmetry] Matsushita, T, Guo, FZ, Suzuki, M, et al. PHYSICAL REVIEW B 78 (2008) 144111.
7. [Three-dimensional atomic-arrangement reconstruction from an Auger-electron hologram] Tomohiro Matsushita, Fangzhun Guo, Fumihiko Matsui, Yukako Kato, and Hiroshi Daimon, PHYSICAL REVIEW B 75 (2007) 085419.
8. [Characterization of spectroscopic photoemission and low energy electron microscope using multipolarized soft x-rays at BL17SU/SPring-8] F.Z. Guo, T. Muro, T. Matsushita, T. Wakita, H. Ohashi, Y. Senba, T. Kinoshita, K. Kobayashi, Y. Saitoh, T. Koshikawa, T. Yasue, M. Oura, T. Takeuchi, S. Shin, Rev. Sci. Instrument 78 (2007) 066107.
9. [Superconductivity and physical properties of Ba24Si100 determined from electric transport, specific-heat capacity, and magnetic susceptibility measurements] Takeshi Rachi, Harukazu Yoshino, Ryotaro Kumashiro, Masaki Kitajima, Kensuke Kobayashi, Keiichi Yokogawa, Keizo Murata, Noriaki Kimura, Haruyoshi Aoki, Hiroshi Fukuoka, Syoji Yamanaka, Hidekazu Shimotani, Taishi Takenobu, Yoshihiro Iwasa, Takahiko Sasaki, Norio Kobayashi, Yuji Miyazaki, Kazuya Saito, Fangzhun Guo, Keisuke Kobayashi, Keiichi Osaka, Kenichi Kato, Masaki Takata, and Katsumi Tanigaki, PHYSICAL REVIEW B 72 (2005) 144504.
10. [Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots] G. Biasiol, S. Heun, G. Golinelli, A. Locatelli, T. O. Mentes, F. Z. Guo, L. Sorba, Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 223106.
11. [Visualization of Graphite Atomic Arrangement by Stereo Atomscope] F. Matsui, H. Daimon, F. Z. Guo and T. Matsushita, Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3737-3740.

主要获奖

1,第七届表面界面和纳米技术国际会议青年科学家奖(2003)
2,日本文部科学大臣奖(2008)
3,日本金属学会优秀论文奖(2009)
4,国务院侨办重点支持的海外高端人才荣誉(2011)
5,辽宁省“攀登学者”荣誉(2012)
6,中国侨联建言献策特等奖(2012)
7,中央统战部“优秀信息联络员”(2013)
8,辽宁省“优秀专家”荣誉(2013)

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