在小注入情况下，少数载流子的数量微乎其微，但是由于它们能够形成很大的浓度梯度，则可以产生出较大的电流，所以它们的的作用却往往很大（双极型器件就主要是依靠少数载流子来工作的）。然而，在大注入情况下，就再也不能区分出少数与多数载流子了，这时两种载流子都对导电具有相同的作用。由于大注入所出现的一些现象或者产生的影响，即称为大注入效应。

大注入效应

前面分析的电晶体特性，均假定为小注入情况，即注入基区的少数载流子浓度远小于基区多数载流子浓度。随着工作电流Ic的增加，注入基区的少数载流子浓度不断增大。当注入基区的少数载流子浓度接近或超过基区的多数载流子浓度时，即为大注入。

在大注入条件下，少子浓度增加，由于电中性要求，多子浓度也等量增加。随着多子浓度的增加，将使得基区电阻率下降，由此产生基区电导率受注入电流调製的基区电导调製效应。

由于注入的少数载流子浓度分布不均匀，这与掺杂浓度不均匀的效果一样，则都将产生内建电场；这种电场有加速少数载流子输运的作用，从效果来看，就相当于使少数载流子的扩散係数增大一倍。对于BJT，这可加速少数载流子渡越基区的过程，有利于提高电流增益和频率、速度等性能。

大注入使得BJT容易出现发射极电流集边效应(即基极电阻自偏压效应)，以致发射结面积不能充分利用，这将要影响到器件的大电流工作性能。也因此，BJT的发射极需要採用指条形等较为複杂的图形，不能简单地採用增大面积来提高电流。

对于BJT，大注入还会产生所谓基区展宽效应（即Kirk效应），这将直接影响到器件的增益、频率和速度等性能。发射极电流集边效应将有促进基区展宽效应的作用。