在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设定聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设定一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。

其特徵在于，具有：电浆处理室、配置在所述电浆处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从所述被处理基板的外周边缘部设定间隔而包围所述被处理基板的周围那样配置的环部件、以及按照位于所述被处理基板以及所述环部件的下侧那样配置的下侧环部件。

在真空室(1)内，设定有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设定聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。