在200mm晶圆时代；介质、多晶以及金属刻蚀是刻蚀设备的三大块。进入300mm时代以后，随着铜互连的发展，金属刻蚀逐渐萎缩，介质刻蚀份额逐渐加大。介质刻蚀设备的份额已经超过50%以上。而且随着器件互连层数增多，介质刻蚀设备使用量就越大。
200mm时代介质刻蚀市场份额依次为TEL、AMAT、Lam。而Poly刻蚀市场份额依次为Lam、AMAT。进入300mm时代以来，Lam由于其简单的设计、较低的设备成本，逐渐在65nm、45nm设备市场超过TEL，占据了大半市场。而AMAT在刻蚀设备市场逐渐萎缩，现在市场份额小于10%。
LAM Research300mm设备Lam 2300系列产品，有Versys（Poly），Exelan Flex（Die）等。TEL 300mm设备有SCCM、Telius等。

CD Uniformity：线宽的进一步缩小，对设备工艺结果均一性提出了更高的要求
LowK Damage：Low K材料的发展，使得晶片频率得到明显提升，但是由于选择比等问题，带来LowK 损伤问题
LER/Striation：线条边缘粗糙度/波纹也是进入90nm工艺节点以来一个比较严重的问题

为了适应工艺发展需求，各家设备厂商都推出了一系列的关键技术来满足工艺需求。主要有以下几类；
1:双区进气+additional Gas：Additional Gas的目的是通过调节内外区敏感气体的量提高整个刻蚀均一性，结果比较明显。
2:电浆技术：电浆密度和能量单独控制
3:电浆约束：减少Particle，提高结果重複性
4:工艺组件：适应不同工艺需求，对应不同的工艺组件，比如不同的工艺使用不同的Focus Ring

5: Narrow Gap：窄的Gap设计可以使得电子穿过壳层，中和晶圆上多余的离子，有利于提高刻蚀剖面陡直度。
6:反应室结构设计；由200mm时的侧抽，改为下抽或者侧下抽。有利于提高气流均一性。