SLC技术与EEPROM原理类似，只是在浮置闸极（Floating gate）与源极（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，採用这样的方式便可储存每1个信息位，这种技术的单一位方式能提供快速的程式编程与读取，不过此技术受限于低硅效率的问题，必须由较先进的流程强化技术才能向上提升SLC製程技术，单片容量目前已经很难再有大的突破，似乎已经发展到了尽头。