1978年-1982年就读于上海交通大学材料科学和工程系本科。

王厚工

王厚工

1983年-1984年赴美国凯斯西储大学攻读硕士研究生。

1984年-1989年赴纽约州立大学石溪分校攻读博士研究生。

1989年-1990年在美国布鲁克海文国家实验室做博士后。

1990年-1995年在加拿大谢里特国际公司任工程师，

1995年-2010年在美国套用材料公司做资深技术经理。

1989年从美国纽约州立大学石溪分校获得材料工程学博士学位，在国际刊物/会议上以第一作者发表了十多遍论文。
1989年-1990年在美国布鲁克海文国家实验室从事博士后工作。期间在美国热喷涂年会上发表的高温超导论文获得最佳论文奖。
在1996年-1997年期间研发的PVD低压溅射源得到了三星公司在DRAM0.25微米铝互联套用的首肯，并得到了推广和套用；三星公司在DRAM0.25微米铝互联套用的首肯，并得到了推广和套用；在2003年-2004年期间领导研发预热腔室套用到PVD铜阻挡及籽晶层机台，使台基电产量增加了一倍，并成为套用材料公司所有PVD机台的优先配备；
在2008年-2009年期间领导研发的ALDTiN产品进入了IBM,NEC，和松下32纳米逻辑积体电路的生产流程。他拥有十多项专利，和发表了十多篇论文。
2010年8月，入选北京“海聚工程”，被聘为北京市特聘专家。
海聚工程”，被聘为北京市特聘专家。
王厚工博士在国内国际着名期刊杂誌发表论文18篇，拥有专利技术9项。
王厚工 - 曾担任职务 曾任职于美国套用材料公司，其间担任资深科技人员/资深技术经理从事半导体设备研发。在长达十五年的工作中，以第一发明人的身份获得十多项美国专利，研发了多种PVD，CVD/ALD产品，并进入客户市场。1989年-1990年在美国布鲁克海文国家实验室从事博士后工作。
王厚工 - 技术的发展 在1996年-1997年期间研发的PVD低压溅射源得到了三星公司在DRAM0.25微米铝互联套用的首肯，经团队的后续开发，该技术不仅在铝溅射成熟套用，而且推广到其它材料的溅射，成为套用材料公司PVD主要产品之一。

曾任职于美国套用材料公司，其间担任资深科技人员/资深技术经理从事半导体设备研发。在长达十五年的工作中，以第一发明人的身份获得十多项美国专利，研发了多种PVD，CVD/ALD产品，并进入客户市场。

1989年-1990年在美国布鲁克海文国家实验室从事博士后工作。

在1996年-1997年期间研发的PVD低压溅射源得到了三星公司在DRAM0.25微米铝互联套用的首肯，经团队的后续开发，该技术不仅在铝溅射成熟套用，而且推广到其它材料的溅射，成为套用材料公司PVD主要产品之一。

在2003年~2004年期间领导研发的预热腔室套用到铜阻挡籽晶层机台，使台基电产量翻了一番，并成为套用材料公司所有PVD机台的优先配备。

在2005年~2006年期间领导团队所推出的二代衬底镉离层机台获得了国际半导体杂誌评出的年度最佳产品之一。

在2008年~2009年期间领导研发的ALDTiN产品进入了IBM,NEC，和松下32纳米逻辑积体电路的流程,成为当时新一代设备的选择。