
AT89C5d
AT89C52是ATMEL公司生产的低电压,高性能CMOS 8位单片机。片内含8K byTES的可反覆擦写的唯读程式存储器(PEROM)和256 byTES 。的随机存取数据存储器(RAM),器件採用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产,与标準MCS-51指令系统及8052 产品引脚兼容,片内置通用8位中央处理器(CPU )和FLASH由存储单元,功能强大AT89C52单片适用于许多较为複杂控制套用场合。
基本介绍
- 外文名:AT89C5d
主要性能参数
与Mcs-51产品指令和引脚完全兼容。
8位元组可重擦写FLASH闪速存储器
1000 次擦写周期
全静态操作:0HZ-24MHZ
三级加密程式存储器
256X8位元组内部RAM
32个可程式I/0口线
3个16 位定时/计数器
8箇中断源
可程式串列UART通道
低功耗空闲和掉电模式
功能特性
AT89C52 提供以下标準功能:8位元组FLASH闪速存储器,256字竹内部RAM , 32个I/O口线,3个16 位定时/计数器,一个6向量两级中断结构,一个全双工串列通信口,片内振荡器及时钟电路。同时,AT89c52可降至OHz的静态逻辑操作,并支持两种软体可选的节电上作模式。空闲方式停止CPU 的工作,但允许RAM,定时/计数器.串列通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM 中的内容,但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬体复位.
功能引脚说明:
Vcc:电源电压
GND:地
P0:P0口是一组8位漏极开路型双向1/O 口,也即地址/数据汇流排复用口。作为输出口用时.每位能吸收电流的方式驱动8个TTL 逻辑门电路,对连线埠P0 写“1”时,可作为高阻抗输入端用。
在访问外部数据存储器或程式存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据汇流排复用,在访问期间激活内部 上拉电阻。
在FLASH由编程时,P0口接收指令位元组,而在程式校验时,输出指令字 节,校验时,要求外接上拉电阻。
P1口:PI 是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,Pl的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对连线埠写“1”,通过内部的上拉电阻把连线埠拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流IIL
与AT89C51不同之处是,Pl.0 和P1.1还可分别作为定时/计数器2 的外部计数输入(Pl.0/T2 )和输入(P1.1/T2EX) ,
参见表1
FLASH编程和程式校验期间,Pl接收低8位地址。
表1 PI.O 和PI.l 的第二功能
口:P2 是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑电路。对连线埠P2写“l",通过内部的上拉电阻把连线埠拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(llt )。
在访问外部程式存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOvx@DPTR 指令)时,P2送出高8 位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器、如执行MOVX@RI指令)时,P2口输出P2锁存器的内容。
FLASH编程或校验时,P2亦接收高位地址和一些控制信号。
·P3口:P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入连线埠。此时,被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流(IIL) .
P3口除了作为一般的I/0口线外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示:
此外,P3口还接收一些用于FLASH闪速存储器编程和程式校验的控制信号。
RST:复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
·ALE/PROG:当访问外部程式存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位位元组.一般情况下,ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。
对Flash存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。
如有必要,可通过对特殊功能暂存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位.可禁止ALE操作。该位置位后,只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活,此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程式时,应设定ALE禁止位无效。
·PSEN:程式储存允许PSEN输出是外部程式存储器的读选通信号,当AT89C52由外部程式存储器取指令(或数据)时,每个机器周期两次PSEN有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次PSEN信号。
·EA/VPP:外部访问允许。欲使CPU 仅访问外部程式存储器(地址为0000H-FFFFH ) , EA端必须保持低电平(接地).需注怠的是:如果加密位LBI被编程,复位时内部会锁存EA端状态。
如EA端为高电平(接Vcc端), CPU则执行内部程式存储器中的指令。
flash存储器编程时,该引脚加上+12V的编程允许电源VPP ,当然这必须是该器件是使用12V编程电压VPP 。
·XTAL1:振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端.
·XTAL1:振荡器反相放大器的输出端。
特殊功能暂存器
在AT89C52片内存储器中,80H-FFH共128个单元为特殊功能暂存器(SFE ) , SFR的地址空间映象如表2所示。并非所有的地址都被定义,从80H-FFH共128 个位元组只有一部分被定义,还有相当一部分没有定义。对没有定义的单元读写将是无效的,读出的数位将不确定,而写入的数据也将丢失。
不应将数据"1"写入未定义的单元,由于这些单元在将来的产品中可能赋予新的功能,在这种情况下,复位后这些单元数值总是“0”。