本书内容分为六部分:第一部分为半导体物理的基本理论。主要内容包括:半导体、晶格、能带、载流子等基本概念;硅及砷化镓物理学特性;P—N结及其特性。第二部分为半导体器件。主要内容包括:双极型器件;MOS器件;微波与光电子器件。第三部分为半导体工艺。主要内容包括晶体生长、薄膜生长、光刻、腐蚀、扩散、注入等基本半导体工艺;双极型积体电路工艺;MOS积体电路工艺。第四部分为积体电路设计。主要内容包括:设计方法;综合与仿真。第五部分为MEMS。主要内容包括:MEMS概念与特点;MEMS工艺、器件与材料等。

全书涵盖了微电子技术领域的基本内容,同时又介绍了该领域的一些较新的发展。

本书可作为电子科学与技术专业微电子技术方向的三、四年级本科生的专业英语教材,也可供相关专业的本科生和从事该专业领域的工程技术人员使用。

Chapter 1 Semiconductors Physics

1.1 Energy Bands and Carrier Concentration

1.2 Carrier Transport Phenomena

1.3 PN Junction

1.4 Summary

参考文献

Chapter 2 Semiconductor Device

2.1 Bipolar Junction Transistor

2.2 The MOSFET

2.3 Microwave