氮化镓场效应电晶体（GalliumNitrideField-effectTransistor）是一类以氮化镓以及铝氮化镓为基础材料的场效应电晶体。由于氮化镓材料具有好的散热性能、高的击穿电场、高的饱和速度，氮化镓场效应电晶体在大功率高频能量转换和高频微波通讯等方面有着远大的套用前景。目前，以氮化镓製备出了金属场效应电晶体（MESFET）、异质结场效应电晶体(HFET)、调製掺杂场效应电晶体（MODFET）等新型器件。

与其同等的硅场效应电晶体相比，氮化镓场效应电晶体具有栅极电容较低、栅极驱动电压较低和额定电压能力较高等优势。2010年，国际整流器公司推出行业首个商用功率级氮化镓场效应电晶体产品。随后，德州仪器、贝克瓦特集团、恩智浦半导体等公司也先后推出了採用氮化镓场效应电晶体的数字电源转换解决方案。