1975年7月毕业于黑龙江大学物理系半导体专业并留校任教，1987年在职学完微电子学与固体电子学的硕士研究生课程， 1992年9月被正式注册为加拿大阿尔伯塔大学电气工程系特别研究生。1998年被聘为中国电子学会敏感技术分会委员，1999年被选为中国电子学会敏感技术分会力敏技术专业委员会副主任。2001年被选为东北MEMS研发联合体执委兼黑龙江委员会主任， 2003年当选为中国仪器仪表学会感测器学会常务理事、《感测技术学报》、《感测器与微系统》和《黑龙江大学自然科学学报》编委。是微电子学与固体电子学省重点学科的学科带头人。1992年获国务院颁发的政府特殊津贴，1995年被评为黑龙江省有突出贡献的优秀中青年专家。在国内外学术期刊上发表学术论文46篇，其中被SCI、Ei收录12篇；独立完成的专着《力学量敏感元器件及其套用》和《磁敏感元器件与磁感测器》先后由黑龙江科技出版社出版。

学 科：微电子学与固体电子学

研究方向：感测器MEMS；纳米元器件

代表性着作：

1. 温殿忠.《力学量敏感元器件及其套用》，黑龙江科技出版社出版。

2. 温殿忠.《磁敏感元器件与磁感测器》，黑龙江科技出版社出版。

3. 温殿忠 等.《感测器原理及其套用》，黑龙江大学出版社。

在重要学术刊物上发表的代表性论文：

1. Dianzhong Wen, SensitivityAnalysisofJunctionFieldEffect-PressureHalltron，Review of Scientific Instrument Vol.66,No.1.251-255 .1995.1[SCI]收录.

2. Dianzhong Wen, An IC Chip of Magneto-Sensitivity Silicon Transistors Sensor, Solid-State and Integrated Circuit Technology，ICSICT,2001.10[EI]收录.

3. Dianzhong Wen, Negative-ResistanceCharacteristics Studies in Silicon Double Injection p+πn+ Magnetic-Device, International Society for OpticalEngineering,Vol.4414，301-305，2001.10. [EI]收录.

4. Dianzhong Wen, Theoretical Analysis of The Pressure-Magneto-Electric Effect of JFET, Journal of Electronics,Vol.7,No.2,April 1990. [EI]收录.