OPC = Optical Proximity Correction

光学邻近校正(OPC)是一种光刻增强技术，影响造成的图像错误。OPC主要在半导体器件的生产过程中使用，目的是为了保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。这些投影图像出现违规行为，如线宽度比设计窄或宽，这些都可以通过改变掩模版来补偿成像。其他的失真,如圆角，受光学工具解析度的制约，更加难以弥补。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近校正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来纠正这些错误。根据宽度和间距约束（即基于规则的OPC），或者是通过使用紧凑的模型动态仿真(即基于模型的OPC)的结果预先计算出一个查找表，根据这个查找表来决定怎样移动图案的边缘，找到最好的解决方案。OPC的目标是儘可能的使硅片上生产出的电路与原始的电路一致。

一般来说，当晶圆上的线宽小于曝光波长时，必须对掩模上的图形做邻近效应修正。例如，使用248nm波长光刻机，当图形线宽<250nm时，必须使用简单的修正；当线宽<180nm时，则需要非常複杂的修正。使用193nm波长光刻机，当最小线宽<130nm时，就必须做图形修正。

光学邻近效应修正首先于250nm技术节点被引入报导提光刻工艺中。OPC软体根据事先确定的规则对设计图形做光学邻近效应修正。这种方法的关键是修正规则，它规定了如何对各种曝光图形进行修正。其形式与内容会极大的影响OPC数据处理的效率和修正的精度。修正规则是从大量实验数据中归纳出来的，随着计算技术的发展，修正规则也可以通过计算的方法产生。修正规则都是在一定光照条件下产生的。如果工艺条件发生了变化，这些修正规则必须重新修订。

基于模型的光学邻近效应修正从90nm技术节点开始被广泛套用。它使用光学模型和光刻胶化学反应模型来计算出曝光后的图形。该方法的关键是建立精确的光刻模型，包括光学模型和光刻胶模型，为达到较高的计算速度，这些模型都採用近似模型，其中包含一系列参数，需要实验数据来进行拟合，以保证模型的精确度。显然实验数据越多，模型拟合越精确。但是太多的测试图形会使得晶圆数据的收集量太大。因此，测试图形的设计非常关键。