1，N9000採用一托四的结构设计，可以对四片NAND FLASH同时进行烧录烧写，烧录烧写过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确。

2，N9000支持多种软硬体平台的NAND Flash数据烧录烧写，内置针对多种软硬体平台的量身定做的坏块管理及烧写方式，极大的提高烧录良品率。

3，N9000烧录烧写速度快，512Byte小页面Flash速度只需约1.8MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面SLC架构Flash编程速度约3MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面MLC架构Flash编程速度约2.5MB/秒（数据全部比对校验）

4，支持以档案方式烧录烧写和母片拷贝两种烧录烧写方式：

（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash；

（2）档案方式烧写：用户可将指定档案置于SD卡或烧写器内置硬碟，本方式读出档案内容按指定方式（可支持特殊档案系统）写入Flash；

5，N9000可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成档案、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：

（1）N9000对母片拷贝方式，可设定特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设定拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧录烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；

（2）N9000可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；

（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于萤幕；

（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；

（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于萤幕，并可顺序浏览每一处不同；

(TSOP、8BIT、3.3V)，下面仅仅列出部分型号，实际支持的型号会比较多：

1,SAMSUNG: 　K9F6408U0*,K9F2808U0*,K9F5608U0*,K9F1208U0*,K9F1G08U0*,K9F2G08U0*, K9K2G08U0*,K9F4G08U0*,K9G4G08U0*,K9K4G08U0*,K9F8G08U0*,K9K8G08U0*, 　K9G8G08U0*,K9WAG08U0*,K9GAG08U0*,K9GBG08U0*,K9LAG08U0*,K9W8G08U0*,K9LBG08U0*,K9HCG08U0,……..

2,HYNIX: 　HY27US0856*,HY27US08121*,HY27UA081G*,HY27UF081G*,HY27UF082G*,HY27UF084G*,HY27US081G*,HY27UVB081G2*,HY27UVB084G2*,HY27UVB084G1*, 　HY27UVB082G1*,HY27UF081G2*,HY27VB082G4*,HY27UA081G1*,HY27UU088G5*,HY27UT084G2*,HY27UF084G2*,HY27UF088G*,HY27UU08AG2*,H27UAG8T2*, 　HY27UF088G*,HY27UBG8U*,HY27UBG8T2,…….

3,TOSHIBA： 　TC58V64BFT*,TC58128*,TC58256* ,TC58512FT* ,TC58DVG02A1FT* ,TC58NVG0S3* ,TC58NVG0D3BTG*,TC58NVG0S3ETA*,TC58NVG1S3ETA00* ,TC58NVG1S3ETA*, 　TC58NVG1S3BFT*,TC58DVG14B1FT00*,TC58NVG1D4BTG00*,TC58NVG2D4BFT00*,TH58NVG2S3BFT*,TC58NVG3S0ETA*,TC58NVG3D1DTG00*,TC58NVG3D1DTG00*, 　TH58NVG3D4BTG00*,TH58NVG3D4BTG01*,TC58NVG4D1DTG00*,TH58NVG5D1DTG20*,TC58NVG4D2ETA00*,TC58NVG4D2FTA*,TC58NVG4D2FTA*,TH58NVG5D2ETA20*, 　TH58NVG7D2ELA89*,TH58NVG4D4CTG00*,TH58NVG5D4CTG20*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D1DT*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D2ETA*,TH58NVG7D2ELA*,TH58NVG7D2ELA*,

4,ST: 　NAND128W3A2A*,NAND253W3ABN*,NAND512W3A2C*,NAND01GW3A*,NAND01GW3B*,NAND02GW3B*,NAND04GW3B2B*,NAND04GW3C2A* …NAND04GW3B2D*,NAND08GW3B2C*, 　NAND16GW3D2A*,NAND32GW3D2A*……..

5,MICRON: 　MT29F1G08AB*,MT29F2G08AA*,MT29F2G08AAC*,MT29F4G08*,MT29F8G08MAA*,MT29F8G08AAA*,MT29F8G08AB*,MT29F8G08AB*,MT29F16G08FAA*,MT29F16G08MAA*, 　MT29F32G08QAA*,MT29F16G08CBA*,MT29F16G08CBACA*,MT29F16G08CBB*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CBABA*,29F64G08CJA*,29F128G08CJA*, 　MT29F4G08CF*,MT29F4G08CF*,MT29F64G08CJ*,MT29F128G08CJ*,MT29F256G08CJ*,MT29F64G08CB*……..

6,INTEL: 　JS29F02G08AANA2,JS29F04G08BANA2,JS29F08G08FANA2,JS29F02G08AANB3,JS29F04G08BANB3,JS29F08G08FANB3,JS29F04G08AANB1,JS29F08G08CANB1,JS29F16G08FANB1……

7,(FBGA107、FBGA63、8BIT、3.3V/2.5V/1.8V) 　H8ACU0CE0BBR,HYD0SEE0MF2P,K5D12571CM......

8,LGA封装： 　K9LCG08U1A、K9PFG08U5A、K9PFG08U5M、K9HDG08U5M、K9HDG08U5A、TH58NVG8D2ELA89、TH58NVG8D2FLA89、TH58NVG7D2ELA89、TH58NVG7D2FLA89、SanDisk_05000-016G、 　SanDisk_05105-032G....等等...

性能卓越：超高核心线路设计大幅缩短新世代大容量记忆IC的烧录时间，精密的脚位驱动线路，提供高速度、低杂讯、精準且稳定的烧录信号，满足包括高速度低电压等特殊IC类型的烧录要求。 IC支援界面广：N9000可支援的IC範围极广，涵盖EEPROM, Serial EE, SPI memory, NOR/NAND FLASH, MPU/MCU等IC种类及DIP, SDIP, SOP, SSOP, TSOP, PLCC, QFP, QFN, SON, BGA等IC封装。 设定/操作容易：N9000设定/操作容易，藉由USB接口连线至使用Windows 2000/XP/Server 2003/Vista作业系统的电脑，载入烧录资料档案或读取IC母片，选择烧录功能 (Program、Verify、Auto..等) 后即可开始烧录。 各自独立的多颗并行烧录：N9000烧录器含56 x 8组独立的脚位驱动线路，在多颗IC并行烧录时，各socket能完全独立互不干扰，并可依产能需求，架设多颗多台并行烧录，最多每部电脑架设8颗x 8台 = 64颗IC同时烧录。 高度扩充弹性：烧录不同类型的FLASH，只需更换适合的脚座接板即可，扩充性佳。 软体支援迅速：烧录相关支援软体每周更新/新增，可于网站上快速查询/取得，对日后新产品的烧录支援不虑匮乏。

N9000，nand flash编程器和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用，如Micron，Intel，Spectek，ST，Toshiba，Infineon，Scandisk，Actrans，Renesas，型号太多在此就不一一列举了，金源电子将会不间断增加支持的Flash型号，其它封装的Flash可定做转换座。金源电子将与您一起，共同努力解决NAND Flash套用上的所有烦扰问题！